(株)アルバックは、実装向け600ｍｍ角基板に対応したＤｅｓｃｕｍ＊1用ドライエッチング装置を開発した。
大容量情報端末の市場拡大に伴う高速・大容量情報の品質向上を達成する為に、配線パターンを微細化し配線抵抗を低減、寄生容量を除去することで高密度実装技術が脚光を浴びている。また、スマートフォンをはじめとしたモバイル機器の高機能化、薄型化に伴い、実装されるＩＣパッケージも多ピン化，薄型化の要求がより強くなっている。これらの要求を満たすパッケージ技術としてＦＯ－ＷＬＰ（Ｆａｎ－Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）が脚光を浴び、昨年より大量生産も始まった。現在、パッケージ各社は、次のステップとしてＦＯ－ＷＬＰの生産コストを下げるために基板サイズをΦ300ｍｍから600ｍｍ角程度まで大型化（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）し、面積比約5倍になることで大幅に製品コストを下げることが可能。
φ200ｍｍやφ300ｍｍのドライエッチング装置は市場に多く存在している、６００ｍｍ角基板サイズで、均一にＤｅｓｃｕｍ*1処理やＴｉエッチングができる装置が存在していなかった。今回、アルバックはいち早く市場のニーズを汲み、量産型の実装基板用ドライエッチング装置を開発し販売を開始した。
【技術の概要】
同社は、Φ２００ｍｍのドライエッチング装置をリリースして以来、その後のΦ３００ｍｍ用装置をメインにウェーハレベルの実装工程用装置については２０年以上にわたり２００台を超える納入実績がある。今回この豊富な実績があるプラズマ源を大型化し、６００ｍｍ角対応のドライエッチング装置を開発した。同社のプラズマ源は、従来のＣＣＰ*3方式では両立できなかった樹脂層の高速、低ダメージ、低温エッチングが実現できている。また本プラズマ源は、フッ素系のガスにも対応しており、従来Ｗｅｔ処理していたＳｅｅｄ層のＴｉのエッチングもサイドエッチなく除去でき、さらにＳｉＯ２，ＳｉＮのエッチングも可能。
また、大型基板の反りに起因する搬送不良と異常放電の問題を解決することに成功した。
【アプリケーション】
１． Ｄｅｓｃｕｍ*1
２． Ｄｅｓｍｅａｒ*2
３． 表面改質（撥水性→親水化，親水性→撥水化）
めっき等Ｗｅｔ工程の前処理，アンダーフィル前処理
４． 樹脂系材料のアッシング
５． Ｓｅｅｄ層Ｔｉのエッチング
６． ＳｉＯ２，ＳｉＮのエッチング
【プロセス性能】
Ｄｅｓｃｕｍ*1
エッチング分布：＜±１０％（□５００ｍｍ基板）
表面改質（接触角）
【装置外観】
ドライエッチング装置ＮＡ－１５００ プロセスチャンバー（左）、プロセスチャンバー（右）
＊１ Ｄｅｓｃｕｍ ：感光性樹脂のフォトリソ時の残渣（Ｓｃｕｍ）除去
＊２ ＣＣＰ ：容量結合型プラズマ
（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ｐｌａｓｍａ）
＊３ Ｄｅｓｍｅａｒ ：レーザードリルでのＶｉａ形成時の残渣（Ｓｍｅａｒ）除去
102.7°
4.3°
親水化
撥水化_