【パワー半導体】昭和電工、SiCエピウェハーの高品質グレード品の追加増強決定

　昭和電工（株）は、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（以下、SiC）エピタキシャルウェハー（以下、エピウェハー）の高品質グレードエピウェハ―「ハイグレードエピ（以下、HGE）」について、現在進行中の生産能力増強に加え、さらなる増強を決定した。同社の月産能力は2018年4月に現在の3000枚から5000枚に拡大するが、今回の追加増強により、2018年9月には7000枚まで到達する予定（注：1200V耐圧用デバイス仕様での換算）。
　SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）製に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されている。従来の電源用途に加え、車載への実装に向けた動きが具体化しており、鉄道車両のインバータモジュールの他、急速に伸長する電気自動車市場においても、車載充電器や急速充電スタンドでSiCパワー半導体への切り替えが進んでいる。
　同社のSiCエピウェハー事業は、業界最高水準であるHGEの欠陥密度の低さと高い均一性が評価され、市場成長を上回る伸びを示している。同社は2017年9月に生産能力の引き上げを決定したが、年央には新設備もフル生産となる見込みであることから、今回、さらなる投資を決定した。