三菱電機(株)は、太陽光発電装置やEV用充電器などの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体の新製品として、SiC※1を用いた1200V耐圧の「1200V SiC-SBD※2」5タイプを2019年6月にサンプル提供を開始し、2020年1月から順次発売する。なお、同製品は「TECHNO-FRONTIER 2019第37回モータ技術展」、「PCIM Europe 2019」（5月7日～9日、於：ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク）、「PCIM Asia 2019」（6月26日～28日、於：中華人民共和国・上海）に出展する。
※1 Silicon Carbide：炭化ケイ素
※2 Schottky Barrier Diode：半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
＜新製品の特長＞
1.SiCの採用で、低消費電力化・小型化に貢献
・SiCを用いることでSi（シリコン）と比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21%低減※3
・高速スイッチングが可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献
※3 PFC回路を内蔵した同社製パワー半導体モジュール「DIPPFCTM」に搭載のSiダイオードとの比較
2.JBS構造の採用により、高信頼性に寄与
・pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS※4構造を採用
・JBS構造により高サージ耐量を実現することで、高信頼性に寄与
※4 Junction Barrier Schottky
3.さまざまな用途に対応する5製品をラインアップ
・一般的なTO-247パッケージに加え、絶縁距離を拡大したTO-247-2パッケージの採用により民生品をはじめ産業などのさまざまな用途に対応
・AEC-Q101※5に準拠した製品（BD20120SJ）もラインアップし、車載用途にも対応
※5 Automotive Electronics Council：車載電子部品の品質規格
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【パワー半導体】三菱電機、電源システムの低消費電力化・小型化に貢献する「1200V SiC-SBD」発売
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