【パワー半導体用SiC】昭和電工、新日鐵住金グループの関連資産譲受

　昭和電工（株）は、新日鐵住金（株）および新日鉄住金マテリアルズ（株）より、パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）ウェハーの昇華再結晶法に関する関連資産を、2018年1月末をめどに譲り受ける。
　SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されている。一方で、MOSFETを含めたパワーモジュールのフルSiC化にはさらなる結晶欠陥の低減と低コスト化が課題となっている。
　昭和電工は、2005年からSiCエピタキシャルウェハー（以下、エピウェハー）の技術開発に取り組み、現在、月産3000枚（注）の製造・販売を行っている。今回、新日鉄住金グループの保有する関連資産を取得することで、同製品のさらなる品質向上を目指す。
　昭和電工は現在進行中の中期経営計画「Project 2020+」において、パワー半導体SiCを、将来の市場成長を見据え競争優位なビジネスモデルを確立する「優位確立事業」に位置付けている。市場要求に応える製品開発、供給体制の構築を進め、SiCパワー半導体の本格普及に貢献していく。
注）1200V耐圧用デバイス仕様での換算。